Le perdite di conduzione nel MOSFET

Sono causate dalla resistenza del canale Drain-Source R_DSon attraversata dalla corrente così come delineata in Figura 2.

Una prima approssimazione potrebbe essere data dal prodotto del duty cycle D per il valore della resistenza di canale per il quadrato del valor medio della corrente.
Ma questo tenderebbe a sottostimare il valore di questa parte delle perdite.

Più corretto il metodo riportato nella equazione 2

PMOScond	= 0∫D RDSon *	I2 dt
=D*RDSon	* 1/3 *	(IDSMAX3 - IDSmin3)

che considera l’integrazione della potenza tra il suo valore al minimo e al massimo di I_IN - ovvero I_DSmin e I_DSMAX - considerando che la corrente cresce linearmente con ottima approssimazione (solo il valore della resistenza parassita della induttanza R_LDC interviene a turbare questa linearità).
Un’altra cosa da tenere ben presenteè la forte dipendenza del valore di RDSon dalla temperatura di giunzione del MOSFET.

Normalmente i data sheet riportano il valore di R_DSon a 25°C, ma questo valore può facilmente raddoppiarsi nell’intorno dei 125/150°C a cui può ancora operare il dispositivo